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1) 符號： Q、MN、MP、MF、FET、
MOSFET－絕緣柵型場效應管，柵極與其他極絕緣相當于電容；
2) 分類：
現在主板上應用的都是增強型的場效應管。
3) 特性和工件狀態：
① 特性：MOSFET 是一種電壓控制型器件，改變UGS 就
可以控制ID 的大小；
② 工作狀態：
a、截止：UGS＝0 時，ID＝0，MOSFET 截止，D、S 之間相當于開路；
b、導通：UGS≥UGS（th）時，MOSFET 導通，D、S 之間相當于導線，電流可以從D 到S，
也可以從S 到D；
UGS（th）：為MOSFET 的開啟電壓，0.45－3V 之間；
c、放大：0＜ UGS ＜UGS（th）時，MOSFET 處于放大狀態；ID 與UGS 成正比，工作在線
性區，D、S 間相當于可變電阻，阻值與UGS 成反比；
UGS(th): 場效應管的開啟電壓，0.45－3V。（ MOSFET 的參數）
4) 型號與參數：
① 型號命名規則：日本：
a、IR 公司原創型號：FAIRCHILD·ST
b、PHILIPS·ONSEMT
c、FAIRCHILD（仙童）、CET（臺灣華瑞）、NIKO（臺灣尼克森）
FDB7030L 70A 30V
CEB6030L 60A 30V
d、其他型號請查詢：www.alldatasheet.com
② 參數：
a、極限參數：
電流IDM
功率PDM
耐壓VBD（DSS）
b、導通電阻：RDS（ON）單位為歐姆，越小越好，一般為10 歐姆左右；
c、開啟電壓：UGS（th） 通常為0.45－3V
5) 測量與代換：
a、引腳識別：
目測：
b、極性判斷：
MOSFET 只有一組數值（用二極管檔測量），100－900 之間，S（紅）→D（黑）有數
值時是N 溝道；
D（紅）→S（黑）有數值時是P 溝道；
注意：測量時先短接GS 放電；
c、好壞判斷：G→S 、G→D 沒有數值就是好的，常見故障為擊穿；
d、代換原則：同型號代換或極性相同、極限參數接近的代換。
4、晶閘管(可控硅)
全稱晶體閘流管，舊稱可控硅，是一種以小電流控制大電流的功率型開關器件。
1) 符號：Q、SCR、TRIAC、VS、VT、T
A：陽極
G：控制極
K：陰極
單向晶閘管：SCR 如：BT169
MCR100－6
MCR100－8
BT169 菲利蒲顯示器的保護電路，應用于直流電路。
雙向晶閘管：TRIAC 如：BTA 系列
MAC 系列
BTBX
雙向晶閘管多用于交流電路，打印機、復印機交流開關使用。
2) 特性：
① SCR
G 極不觸發，A、K 之間不導通；
G 極有觸發電流，A、K 之間導通；
A 、K 導通以后，即使失去觸發電流仍然維持導通；
② TRIAC
控制極有觸發電流時，T1－T2 可以雙向導通通過交流電，失去觸發電流以后，TRIAC 會在交
流電過零時關斷。（可以認為：有觸發電流時導通，無觸發電流時關斷）；
可以理解為沒有觸點的繼電器；（固態繼電器）；
3) 測量與代換：單項晶閘管只有G 到K 之間有一組數值，其它各極均為無窮大。
雙向晶閘管G 到T1 雙向有數值，T1、T2 之間不能有數值。
代換原則：同型號代換，或者用參數接近的代換。
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蘇公網安備32010202010135號